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公司基本資料信息
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ZEM-5熱電性能分析系統(tǒng)
技術(shù)特點(diǎn)：
· 適用于研究開發(fā)各種熱電材料和薄膜材料，提高測量精度
· 溫度檢測采用C型熱電偶，*適合測量Si系列熱電材料(SiGe, MgSi等) *HT型
· 真正可測基板上的納米級(jí)薄膜（TF型）
· *大可測10MΩ高電阻材料
· 標(biāo)準(zhǔn)搭載歐姆接觸自我診斷程序并輸出V/I圖表
· 基于日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS (熱電能JIS 電阻率JIS R 1650-2)
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ZEM-5HT |
ZEM-5HR |
ZEM-5LT |
ZEM-5TF |
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特 點(diǎn) |
高溫型 |
高電阻型 *大電阻：10MΩ |
低中溫型 |
薄膜型 可測在基板上形成的熱電薄膜 |
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溫度范圍 |
RT-1200℃ |
RT-800℃ |
-150℃-200℃ |
RT-500℃ |
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樣品尺寸 |
直徑或正方形：2 to 4 mm2 ； 長度3 ～ 15mm |
成膜基板：寬2-4mm，厚0.4-12mm，長20mm 薄膜厚度：≥nm量級(jí) 薄膜樣品與基板要求絕緣 |
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控溫精度 |
±0.5K |
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測量精度 |
塞貝克系數(shù)：＜±７％； 電阻系數(shù)：＜±７％ |
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測量原理 |
塞貝克系數(shù)：靜態(tài)直流電； 電阻系數(shù)：四端法 |
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測量范圍 |
塞貝克系數(shù)：0.5μV/K_25V/K； 電阻系數(shù)：0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ |
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分辨率 |
塞貝克系數(shù)：10nV/K； 電阻系數(shù)：10nOhm |
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氣 氛 |
減壓Ｈｅ |
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